SiT9103晶振,千兆以太网晶振

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Sitime晶振,贴片晶振,SiT9103晶振,千兆以太网晶振

频率：1-800 MHz

尺寸：7.0*5.0*0.9mm

有源石英晶振，无论是温补晶体也好，压控晶振也罢，产品均采用了，离子刻蚀调频技术，比目前一般使用的真空蒸镀方式调频，主要在产品参数有以下提升：１.微调后调整频率能控制在±2ppm，一般只能保持在±５ppm；２.产品的激励功率相关性参数有大幅提升；３.产品的长期老化率可保证在±2ppm之内

咨询热线：0755-27872782

Sitime晶振,贴片晶振,SiT9103晶振,千兆以太网晶振，SiTime石英晶体振荡器可编程架构使最灵活的产品具有更多的特性和超快的领导时间.为电子产品的微型化提供了支持,它提供了行业中最小的包的定时解决方案——小到1.5 x0.8毫米,以及减少组件计数的独特功能.我们的产品通过将多个组件的功能组合在同一个包中来减少董事会空间.半导体公司正在集成我们的硅MEMS谐振器在其SOCs / ASICs中完全消除外部时钟和简化系统设计.

SiTime石英晶振,贴片晶振,石英晶体振荡器在100多个应用程序中被超过1000个客户使用.我们的最大容量设计是在网络、消费者、计算和存储部分.2011年,我们开始为电信、无线和工业应用提供产品.SiTime于2013年进入智能手机市场,推出了首个移动电话MEMS振荡器,目前在可穿戴设备和物联网应用领域正在迅速发展.Sitime晶振,贴片晶振,SiT9103晶振,千兆以太网晶振 TH-1 890

有源石英晶振，无论是温补晶振也好，压控晶振也罢，产品均采用了，离子刻蚀调频技术，比目前一般使用的真空蒸镀方式调频，主要在产品参数有以下提升：１.微调后调整频率能控制在±2ppm，一般只能保持在±５ppm；２.产品的激励功率相关性参数有大幅提升；３.产品的长期老化率可保证在±2ppm之内

7050mm体积的石英晶体振荡器有源晶振,改产品可驱动2.5V的温补晶振,压控晶振,VC-TCXO晶体振荡器产品,电源电压的低电耗型,编带包装方式,可对应自动高速贴片机自动焊接,及IR回流焊接（无铅对应）,为无铅产品,超小型,质地轻.产品被广泛应用到集成电路,程控交换系统,无线发射基站.Sitime晶振,贴片晶振,SiT9103晶振,千兆以太网晶振 TH-2 890

项目	符号	规格说明	条件
输出频率范围	f₀	1-800 MHz	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压	V_CC	1.60 V to 3.63 V	请联系我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作温度	T_use	G: -40℃ to +85℃	请联系我们查看更多资料http://www.smdcrystal.com/
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
频率稳定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	V_OH	V_CC-0.4V Min.
输出电压	V_OL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	V_IH	80% V_CC Max.	ST 终端
输入电压	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 终端
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年